技术文献

  • 可控硅的工作原理和典型应用领域

    可控硅,是可控硅整流元件的简称,有时也称为晶闸管。可控硅是一个具有三个PN结、四层结构的半导体器件,具有体积小、结构简单、功能强、抗高压的特点。...

    2018-07-19 admin 302

  • 国家集成电路大基金二期启动 加大对设计、模组等 环节的投资

    国家集成电路产业投资基金二期募资已经启动,募集金额将超过一期,一期募集资金1387亿元,市场预计二期规模有望达到2000亿元。...

    2018-07-19 admin 86

  • 集成电路项目扎堆落户 芯港小镇:国产“芯”跳动欢

    在业内看来,新政明确了通过中介机构完成的交易必须在各区房产管理部门的监管账户划转交易资金,杜绝了中介机构设立资金池。资金监管有利于交易安全,保障了二手房交易双方的资金安全,这是未来的发展趋势。...

    2018-07-19 admin 62

  • 可控硅的基本工作原理及在调光器中的使用

    可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流,还可以用作无触点开关的快速接通或切断;实现将直流电变成交流电的逆变;将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样,有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、军事科研以...

    2018-08-03 admin 1

  • 通过可控硅控制的直流电机无级调速器电路图

    这块电路板电路简单,成本不高,制作容易,电路作简单分析:220V交流电经变压器T降压,P2整流,V5稳压得到9V直流电压,为四运放集成芯片LM324(点击查看:四运算放大器芯片LM124/LM224/LM324中文资料)提供工作电源。P1整流输出是提供直流电机励磁电源。P4整流由可控硅控制得到0-200V的直流,接电机电枢,实现电机无级调速。R1,C2是阻容元件,保护V1可控硅。R3是串在电枢电路...

    2018-08-03 admin 0

  • 可控硅电机调速电路

    可控硅电机调速电路该电路如图所示。前级控制电路的电源供给电压从稳压管DZ两端取得,R12为启动电阻。VT必须选择BVceo大于400V的中功率管。稳压管DZ的额定电流必须大于电风扇堵转时的电流(一般电风扇的堵转电流约300mA),其稳定电压为5V。流过三极管的基极电流为Ib,集电极电流为IC,则:设可控硅VS的触发电流为Igt当Ic=Igt的时刻,可控硅导通。由(1)式指出。如果βIb大于或者等于...

    2018-08-03 admin 1

  • 双向可控硅和单向可控硅从型号上怎么区分

    双向可控硅和单向可控硅从型号上怎么区分  kk、kp单向,ks双向,导通后阳极阴极有饱和压降,电流大小有负载决定,超过可控硅额定电流就击穿,工作状态下阳极和阴极电流相同可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、...

    2018-07-19 admin 10

  • 双向可控硅工作原理图

     双向可控硅是一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,是在普通可控硅的基础上发展而成的交流开关器件,其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意,发明于1957年。双向可控硅为单向导电性开关,能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路。可控硅具有导通和关断两种状态,从外形上区分主要有:螺栓形、平板形和平底形三类。  由于双向可控硅特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流...

    2018-07-19 admin 17

  • 单向可控硅损坏的原因

    (1)过压击穿     单向可控硅不能承受电压而损坏,单向可控硅对过压的承受能力几乎没有时间的,即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿。过压击穿特征:芯片中有一个光洁的小孔。检查单向可控硅两端RC吸收回路是否有烧坏或失效的,即可避免干扰脉冲所引起的瞬间过压。 ( 2)过流击穿     电流超过额定电流,并在单向可控硅芯片...

    2018-07-19 admin 4

  • 单向可控硅的导通条件与阻断条件是什么?

    单向可控硅的导通条件:1、单向可控硅处于规定的温度范围内,一般-10℃到60℃;2、单向可控硅阳极和阴极之间施加了正向电压,且电压幅值至少应超过0.7V;3、门极与阴极之间施加正向电压,电压幅值应超过触发门槛电压,必须大于0.3V,一般为3~10V;4、单向可控硅导通电流,至少应大于其擎住电流,一般是维持电流的2倍左右;5、门极电压施加的时间,必须超过开通时间,一般应超过6μs。单向可控硅的阻断条...

    2018-07-19 admin 2