半导体可控硅集成电路的发展过程和特性

2018-04-06 07:35:00 admin 1

(一)半导体可控硅集成电路的发展过程
1.电工线路(电阻器、电感线圈、电容器等元器件組成,不包括半导体元器件) 
2.半导体线路(电路中包括了二极管、晶体管和
可控硅管等半导体器件)
3.分立元器件电路
4.半导体集成电路
定义:把
可控硅、电容和半导体器件集中制作在同一半导体基片上,並在内部实现互连的电路。

小规模集成电路(SSI)-中规模集成电路(MSI)-大规模集成电路(LSI)-超大规模集成电路(VLSI)

(二)半导体可控硅的特性:
①导电性能介于导体和绝缘体之间;

②当半导体受到外界光和热的刺激時,其导电能力将发生显著
  的变化;

③在純浄的半导体中加入微量的杂质,导电能力会有显著増加。

特性形成:
①半导体的原子结构和共价键
②本征半导体的导电作用,就是完全純浄的、结构完整的半导体晶体。
③杂质半导体的导电作用

2.可控硅PN結的形成和特性
P型、N型半导体交界处电子和空穴存在浓度差

PN結的特性――単向导电性
正向PN結表现为一个很小的电阻-正向电流 I随外加PN結电压显著変化
反向PN結表现为一个很大的电阻-反向电流 I’很小、为饱和电流



标签:   半导体的发展