可控硅应用线路中限制电流上升率di/dt的保护

2018-04-22 16:31:28 admin 0

可控硅导通瞬间,电流上升率di/dt很大,当电流还来不及扩大到可控硅内部结的全部面积时,门极附近已出现局部过热而造成的损坏。电路中的电容量越大,di/dt也就越大。为此,在整流或者逆变电路中都要考虑限制di/dt的问题。

       整流电路中如有变压器,其漏感虽对di/dt有一定的限制作用,但若变压器二次侧所接的RC吸收电路阻抗值过小或元件相并联时,晶闸管仍有可能在换流期间因di/dt过大而损坏。为此可在每只晶闸管元件上串入电感L,以限制di/dt<10A/μs。

限制电感L的选择:

1、一般电路:

         L=U2m/10(μH)

式中:U2m—加于晶闸管正向电压峰值,即变压器二次电压峰值(V)。

2、逆变电路:

        50A以上的晶闸管,L最好采用饱和电抗器,使限流电感在小电流时可限制di/dt<10A/μs,而在最大电流时,铁心饱和,其电感量能满足在关闭晶闸管正向电流到零后,可在2μs内使反向电流等于正向电流幅值。饱和电抗器的电感量为

        最大电流时

        L=U2m/IT(μH)

        最小电流时

        L=U2m/10(μH)

式中:IT—晶闸管通态平均电流(A)



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