单向可控硅的导通条件与阻断条件是什么?

2018-04-06 07:35:00 admin 1

单向可控硅的导通条件:

1、单向可控硅处于规定的温度范围内,一般-10℃到60℃;

2、单向可控硅阳极和阴极之间施加了正向电压,且电压幅值至少应超过0.7V;

3、门极与阴极之间施加正向电压,电压幅值应超过触发门槛电压,必须大于0.3V,一般为3~10V;

4、单向可控硅导通电流,至少应大于其擎住电流,一般是维持电流的2倍左右;

5、门极电压施加的时间,必须超过开通时间,一般应超过6μs。

单向可控硅的阻断条件:

1、单向可控硅处于规定的温度范围内,一般-10℃到60℃;

2、流过单向可控硅的电流,必须小于维持电流;

3、流过单向可控硅的电流保持为零的时间,必须小于其关断时间;



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