单向可控硅损坏的原因

2018-04-22 16:28:11 admin 0

(1)过压击穿

     单向可控硅不能承受电压而损坏,单向可控硅对过压的承受能力几乎没有时间的,即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿。过压击穿特征:芯片中有一个光洁的小孔。检查单向可控硅两端RC吸收回路是否有烧坏或失效的,即可避免干扰脉冲所引起的瞬间过压。

 ( 2)过流击穿

     电流超过额定电流,并在单向可控硅芯片内部产生热效应,使芯片温度升高,失效且不能恢复。过流击穿特征:电子元器件表面有烧焦现象,痕迹特征是芯片出现坑洞。选择可控硅耐压2~3倍。

  (3)过热击穿

      工作电流并不超过单向可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿。特征:电子元器件表面有烧焦现象,痕迹特征是芯片出现坑洞。注意环境温度,保持单向可控硅与散热器之间的接触面良好。



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