单向可控硅、双向可控硅、场效应管

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电机220V,40W,风扇调速的可控硅的选型

 

此电路需要选型1,3象限,触发电流小于5mA的双向可控硅,如MAC97A6,Z00607,BT131

2012-3-6 Comments:0电机可控硅选型风扇调速
各尺寸芯片对应的型号与参数

 

2012-3-5 Comments:0芯片型号参数
可控硅(SCR)基本概念

 可控硅(SCR)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。

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2012-2-28 Comments:0可控硅SCR概念
Semiwill各种不同封装形式的单双向可控硅引脚图

 

 

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2012-2-27 Comments:0可控硅 封装 引脚 Semiwill TO-251
Semiwill各种不同封装形式的单双向可控硅引脚图

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2012-2-27 Comments:0可控硅 封装 引脚 Semiwill TO-252
Semiwill各种不同封装形式的单双向可控硅引脚图

 

 

 

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2012-2-27 Comments:0可控硅 封装 引脚 Semiwill TO-220
Semiwill各种不同封装形式的单双向可控硅引脚图

 

 

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2012-2-27 Comments:0可控硅 封装 引脚 Semiwill TO-92
可控硅击穿的原因分析

可控硅击穿的原因分析

1、过压击穿:
过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一,可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的,即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的,因此实际应用电路中,在可控硅两端一定要接入RC吸收回路,以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿,请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。

2、过流与过热击穿:其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应,使芯片温度升高,当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下,只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的,因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的,而温度升高的过程是需要一定时间的,所以在短时间内过流(几百毫秒到几秒时间)一般是不会击穿的。

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2012-2-24 Comments:2可控硅 击穿原因 分析
MCR100-8灵敏触发单向可控硅(晶闸管)

MCR100-8系列单向可控硅

产品特点:

•PNPN四层结构的硅器件;

•采用双面台面玻璃钝化工艺,保证了高电压的可靠性;

•背面多层金属电极,提高了产品电流冲击的耐受力;

•门极灵敏触发;

•TO-92型塑料封装。

主要参数:

电压≥600V 通态均方根电流1.0A,通态压降≤1.7V

包装方式:

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2012-2-23 Comments:1可控硅 MCR100-8 PDF
Semiwill部分可控硅选型手册

 Semiwill部分可控硅选型手册

SEMIWILL可控硅晶闸管选型手册.pdf

2012-2-21 Comments:0Semiwill 可控硅 选型
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