可控硅主要参数及含义

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IEC标准中用来表征可控硅二极管性能特点的参数有数十项但用户经常用到的有十项左右本文就可控硅二极管的主要参数做一简单介绍

1、正向平均电流I_F(AV)(整流管)

通态平均电流I_T(AV)(可控硅)

是指在规定的散热器温度T_HS或管壳温度 T_C 时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值此时器件的结温已达到其最高允许温度T_jm仪元公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度T_HS或管壳温度 T_C值用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件

2、正向方均根电流I_FRMS(整流管)

通态方均根电流I_TRMS(可控硅)

是指在规定的散热器温度T_HS或管壳温度 T_C 时,允许流过器件的最大有效电流值用户在使用中须保证在任何条件下流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值

3、浪涌电流I_FSM(整流管)I_TSM(可控硅)

表示工作在异常情况下器件能承受的瞬时最大过载电流值用10ms底宽正弦半波峰值表示仪元公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下施加80% V_RRM条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的用户在使用中应尽量避免出现过载现象

4、断态不重复峰值电压V_DSM

反向不重复峰值电压V_RSM

指可控硅或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压一般用单脉冲测试防止器件损坏用户在测试或使用中应禁止给器件施加该电压值以免损坏器件

5、断态重复峰值电压V_DRM

反向重复峰值电压V_RRM

是指器件处于阻断状态时断态和反向所能承受的最大重复峰值电压一般取器件不重复电压的90%标注高压器件取不重复电压减100V标注用户在使用中须保证在任何情况下均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压

6、断态重复峰值漏电流I_DRM

反向重复峰值漏电流I_RRM

为可控硅在阻断状态下承受断态重复峰值电压V_DRM和反向重复峰值电压V_RRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出

7、通态峰值电压V_TM(可控硅)

正向峰值电压V_FM(整流管)

指器件通过规定正向峰值电流I_FM(整流管)或通态峰值电流I_TM(可控硅)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力

标签：可控硅参数含义
分类：技术文献| 发布：semiwill| 查看： | 发表时间：2011-10-8
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